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thebeach87.
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A giugno dell´anno scorso Samsung ha annunciato lo sviluppo del primo modulo di memoria DDR3 con capienza complessiva di 32GB (GigaByte). Con l´inizio del nuovo anno il colosso sud-coreano ha rivisto il progetto ed ora è pronto ad avviare la produzione in massa durante il prossimo mese (aprile). Rispetto ai primi sample costruiti a 50nm, i nuovi moduli DIMM utilizzano chip costruiti con il processo a 40nm - ma Samsung prevede una parziale migrazione verso la tecnologia a 30nm già a partire dalla seconda metà del 2010.
I moduli operano alla frequenza di 1066 MHz e necessitano di una tensioni di alimentazione di soli 1.35V. Sono realizzati con 72 chip, 36 per lato, ciascuno da 4Gb (Gigabit).
Il principale utilizzo per questa tipologia di memoria è il mercato server. Una configurazione 2-way server permette di disporre di 384GB di memoria RAM, mentre una 4-way raggiunge i 2TB di RAM. Il prezzo non è stato ancora svelato, ma conoscendo l´indirizzo si tratterà di prodotti estremamente costosi.
“ “Samsung continues to set the pace in advanced memory for high-end server applications by offering 40nm-class 32GB memory modules to reach previously unattainable levels of system capacity.In just 10 months, Samsung has now secured the best competitive advantage with the broadest portfolio of 40nm-class DDR3 based memory solutions in the industry since the 40nm-class DRAM was first produced last July. Technology leadership is a key factor in Samsung’s aggressive competitiveness within the memory industry. Our highly successful implementation of 40nm-class technology is indicative of our determination to move toward the 30nm-class process node in the second half of this year. Our 30nm-class technology will provide even more advanced memory solutions for high-end server and PC applications”. ha dichiarato M Soo-In Cho, president and general manager of Samsung Electronics Memory Division
Fonte: press release.